삼성 HBM4E 수율 70% 넘겨 개발 '안정권'

신뢰성 테스트서 70%이상 확보10나노 7세대 D램 공정도 순항 삼성전자가 현재 개발 중인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)의 수율(정상품 비율)을 70% 이상 확보한 것으로 확인됐다. 지난 2월 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산 판매한 데 이어, HBM4E 개발이 사실상 9분 능선을 넘은 것으로 파악된다. 삼성전자는 기술 초격차 확보를 통해 SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지와의 HBM4 경쟁에서 우위를 점하겠다는 목표다. 1일 반도체 업계에 따르면 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장(사장)은 지난달 30일 열린 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 사내 경영현황설명회에서 "HBM4E 신뢰성 테스트 수율이 70% 이상 수준까지 올라왔으며, 차세대 10나노급 7세대(D1d) D램 공정도 경쟁사 대비 우위를 확보했다"고 밝혔다. 반도체업계에서는 통상적으로 수율이 80% 이상이면 '성숙 수율' 단계로 평가한다. 공정이 안정화됐다는 뜻이다. HBM4E가 아직 신뢰성 테스트 단계라는 점을 고려하면 70% 이상 수준은 개발이 안정권에 진입하고 있음을 의미한다. HBM4E는 엔비디아가 내년 출시할 예정인 차세대 AI 가속기 '베라 루빈 울트라' 등에 탑재될 것으로 예상된다. 삼성전자는 올해 2월 HBM4를 업계 최초 양산 출하 한 데 이어 지난 5월 29일 HBM4E 12단 제품의 세부 기술 사양을 공개하고 주요 고객사에 샘플을 출하했다. HBM4는 엔비디아가 하반기 출시할 AI 가속기 '베라 루빈'에 장착될 예정이다. 삼성전자는 지난달 말 메모리 업계 처음으로 HBM4 매출실적 12억 달러 고지를 돌파했다. 차세대 D램 공정 개발도 순항하고 있는 것으로 전해졌다. 송 CTO는 D1d 공정 기술 경쟁력이 경쟁사 대비 우위에 있다고 평가했으며, 오는 11월 생산준비승인(PRA)을 목표로 개발을 진행 중이라고 설명한 것으로 알려졌다. PRA는 제품 출하를 앞두고 진행하는 사내 최종 품질 평가 단계다. 수율과 성능, 생산성 등을 종합적으로 검증해 양산 가능 여부를 판단하는 절차로, 통과하면 본격적인 양산 체제 전환이 가능하다. 특히 D1d는 삼성전자가 차세대 HBM5(8세대)부터 적용할 계획인 핵심 D램 공정이다. 업계에서는 D1d 개발이 계획대로 진행될 경우 차세대 D램은 물론 HBM5 이후 제품 경쟁력에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 보고 있다. 이처럼 HBM4E 개발 성과와 D1d 공정 안정화가 맞물리면서 차세대 AI 메모리 경쟁에서도 삼성전자의 기술 경쟁력이 한층 강화될 것이라는 관측이다.