삼성·SK, HBM 경쟁할 때 中 ‘범용 메모리’ 시장 잠식 [biz-...

■카운터포인트리서치 1분기 집계韓 양강, D램·낸드 1위 수성HBM SK하이닉스 58% 과반中 CXMT·YMTC, 점유율 2배범용 시장서 존재감 키우는 듯중국 안후이성 허페이에 위치한 CXMT 본사. CXMT중국 메모리 반도체 업체들이 1년 사이 점유율 최대 2배까지 늘리며 약진하고 있다. 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660) 등 메모리 빅2가 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 시장에 역량을 집중한 빈자리를 중국 기업이 범용(레거시) 제품 공세로 파고든 결과다. 향후 첨단 시장은 한국이 주도하고 범용 시장은 중국 비중이 확대되는 구조가 한층 굳어질 것이란 전망이 나온다.25일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 1분기 세계 D램 시장에서 삼성전자는 매출 기준 점유율 38%로 1위를 기록했다. SK하이닉스와 마이크론이 각각 29%와 22% 점유율로 뒤를 이었다. 중국 창신메모리테크놀로지는 8% 점유율을 차지하며 4위에 올랐다. 낸드플래시 시장도 삼성전자가 29% 점유율로 선두를 지켰다. SK하이닉스는 18%를 기록했고 키옥시아는 14%로 조사됐다.가장 눈에 띄는 대목은 중국 메모리 기업의 가파른 영역 확장이다. 창신메모리테크놀로지는 지난해 1분기 3% 수준이던 D램 시장 점유율을 1년 만에 8%로 두 배 이상 끌어올렸다. 낸드플래시 업체 양쯔메모리테크놀로지도 같은 기간 점유율을 8%에서 13%로 확대했다. 미국 마이크론과 샌디스크 수준까지 단숨에 추격한 셈이다.업계는 중국의 약진을 첨단 반도체 쏠림 현상과 중국 정부 보조금이 맞물린 결과로 해석한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 글로벌 메모리 3대 기업은 폭증하는 인공지능 수요에 대응하기 위해 레거시 D램 생산 라인을 고대역폭메모리 라인으로 대거 전환했다. 일반 PC와 서버용 범용 메모리 공급 공백이 발생한 원인이다. 중국 기업은 이 빈틈을 놓치지 않고 시장을 장악했다.정부 보조금을 등에 업은 중국 기업이 가격 경쟁력을 앞세워 글로벌 고객사를 공략한 점도 주효했다. 미·중 갈등에 따른 중국 내 반도체 자립 기조로 자국 스마트폰과 가전 제조사가 중국산 메모리를 적극 채택한 부분도 큰 힘이 됐다. 올해 1분기 세계 D램 시장 규모가 전 분기 대비 80% 성장했고 낸드플래시 시장은 90% 급성장했다. 전반적인 단가 상승 국면 역시 중국 점유율 확대에 유리하게 작용했다.중국의 추격이 거세도 기술적 한계는 여전하다는 평가가 지배적이다. 인공지능 반도체 핵심인 고대역폭메모리 시장은 SK하이닉스가 점유율 58%로 과반을 차지하며 압도적인 리더십을 유지하고 있다. 삼성전자와 마이크론이 각각 21% 점유율로 뒤를 쫓고 있다.현재 시장을 주도하는 5세대 HBM3E를 넘어 올해 하반기 공급이 시작될 HBM4 등 최첨단 영역은 중국 진입이 구조적으로 불가능에 가깝다. 미국 정부의 강력한 장비 반입 규제에 길이 막힌 탓이다.반도체 업계 관계자는 “한국 반도체가 초고성능 메모리 시장을 선점하며 막대한 수익을 올리는 사이 범용 시장에서는 중국발 치킨게임이 시작될 기미가 보이고 있다”며 “국내 기업은 차세대 제품으로 초격차를 유지하는 동시에 범용 영역에서도 원가 절감을 이뤄 중국 잠식을 방어하는 정교한 전략이 필요하다”고 조언했다.