지니틱스, GaN 전력반도체 구동 IC 개발 국책과제 참여

[서울=뉴시스] 김경택 기자 = 팹리스 반도체 기업 지니틱스는 국책과제에 참여해 차세대 GaN(질화갈륨) 전력반도체 구동 IC(집적회로) 개발에 나서며 고효율 전력변환 시장 공략을 본격화한다고 16일 밝혔다.회사 측에 따르면 지니틱스가 참여 중인 과제는 '650V 고속스위칭 GaN 구동형 정밀 DT 제어회로 내장 하프브리지형 구동 IC 개발'이다. 개발 기간은 오는 12월까지다. 한국전기연구원(KERI), 한양대, 아이티엠반도체 등이 협력 기관으로 참여한다.지니틱스는 터치 컨트롤러 IC 등 시스템반도체 설계 역량을 기반으로 전력반도체 구동 IC 분야로 기술 적용 범위를 넓히고 있다. 이번 과제는 회사의 정밀 제어 IC 설계 기술을 차세대 전력반도체 영역으로 확장하기 위한 기술 개발이다.GaN 전력반도체는 고속 스위칭 특성이 중요한 만큼, 이를 안정적으로 제어하는 구동 IC 기술이 핵심이다. 지니틱스는 이번 과제를 통해 650V급 고전압 환경에 대응 가능한 절연·구동·하프브리지형 드라이버 설계 기술을 확보하고, 전기차 충전기, ESS(에너지저장장치), 서버, 태양광 등 파워산업 분야로 적용 가능성을 넓혀갈 계획이다.지니틱스 관계자는 "이번 과제는 GaN 전력반도체의 국산화와 상용화를 위한 선행 기술 확보라는 점에서 의미가 있다"며 "장기적으로는 절연, 구동, 제어 회로를 통합한 SoC 기반 원칩 및 원패키지화 기술 연구도 병행할 계획"이라고 말했다.